用帶隙造句的12個例子_帶隙造句

1、 采用二階溫度補償和電流反饋技術(shù)，設(shè)計實現(xiàn)了一種基于襯底驅(qū)動技術(shù)和電阻分壓技術(shù)的超低壓CMOS帶隙基準電壓源。

2、 當層厚遞變時,光子帶隙均向長波方向移動.

3、在帶隙附近存在四個表面態(tài)帶，其中的兩個占有表面態(tài)帶已由價帶的同步輻射光電子能譜實驗得到證實。

4、最終，靠采用完全帶隙聲子晶體襯底，我們獲得了只有單個輻射支的定向輻射，它的半強角寬大約為5.2度。

5、采用二階溫度補償和電流反饋技術(shù)，設(shè)計實現(xiàn)了一種基于襯底驅(qū)動技術(shù)和電阻分壓技術(shù)的超低壓CMOS帶隙基準電壓源。

6、結(jié)果表明聲子帶隙將出現(xiàn)在兩個完全分離的共振態(tài)之間.

7、低濺射功率下，與鍵角畸變有關(guān)的結(jié)構(gòu)無序是導(dǎo)致光學帶隙變窄的主要因素。

8、 然而，與半導(dǎo)體硅不同，石墨烯的價帶和導(dǎo)帶之間沒有帶隙。

9、當層厚遞變時,光子帶隙均向長波方向移動.

10、使用斬波技術(shù)，減小了帶隙基準源中運放的失調(diào)電壓所引起的誤差，提高了基準源的精度。

11、 最終，靠采用完全帶隙聲子晶體襯底，我們獲得了只有單個輻射支的定向輻射，它的半強角寬大約為5.2度。

12、 異質(zhì)結(jié)構(gòu)引進的帶隙差可以實現(xiàn)高注入比、進一步降低了閾值電流，同時提高了輸出功率。

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